太赫兹复合应变Si/SiGe HBT器件建模与仿真研究

61704147
2017
F0404.半导体电子器件与集成
周春宇
青年科学基金项目
副教授
燕山大学
25万元
应变Si;HBT;太赫兹器件;复合应变;器件模型;SiGe
2018-01-01到2020-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型 专利 周春宇;王冠宇;闫伟涛;常晓伟;耿欣;蒋巍
2 一种太赫兹SOI复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法 专利 周春宇;郭得峰;王冠宇;徐超;姜巍;谭金波
3 一种新型SGOI SiGe异质结双极型晶体管 期刊论文 于明道;王冠宇;苗乃丹;文剑豪;周春宇;王巍
4 Design and Simulation of Improved SOI SiGe Hetero-Junction Bipolar Transistor Architecture with Strain Engineering 期刊论文 Naidan Miao;Peipei Liu;Jianhao Wen;Jinxi Wei;Baichuan Zhang;Shiqi Wang;Ruwen Zeng;Guanyu Wang;Chunyu Zhou
5 一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及其制备方法 专利 周春宇;王冠宇
6 HIGH-VOLTAGE TERAHERTZ STRAINED SIGE/INGAP HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND PREPARATION METHOD THEREOF 专利 Zhou Chunyu
7 Landau–Zener tunneling in spin–orbit-coupled Bose–Einstein condensates in PT periodic potentials 期刊论文 C.Y.Zhou
8 一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利 周春宇;王冠宇;常晓伟;耿欣;蒋巍;谭金波
9 Effect of carrier mobility on performance of perovskite solar cells 期刊论文 Gu Yi Fan;Du Hui Jing;Li Nan Nan;Yang Lei;Zhou Chun Yu
10 Modelling and Calculation of Silicon Conduction Band Structure and Parameters with Arbitrary Uniaxial Stress 期刊论文 Guanyu Wang;Mingdao Yu;Chunyu Zhou
11 高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管及其制备方法 专利 周春宇;李洪岩;耿欣;王冠宇;蒋巍;乔世峰;耿连民
12 全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法 专利 周春宇;杜会静;王冠宇;徐超;孙继浩
13 一种平面复合应变Si/SiGe CMOS器件及制备方法 专利 周春宇;钟宇霄;王冠宇;蒋巍;马明;董希言
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