【60576066】异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型国家自然基金项目 - 国家自然科学基金查询网

异质栅多阶梯场极板HMLDMOS及高压LDMOS的SPICE模型

项目批准号： 60576066

批准年份： 2005

学科分类： F0405.半导体器件物理

项目负责人：陈军宁

资助类别：面上项目

负责人职称：教授

依托单位：安徽大学

资助金额： 21万元

关键词：多阶梯场极板;SPICE模型;统一的电流公式;异质栅;HMLDMOS

起止时间： 2006-01-01到2008-12-31

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序号	标题	类型	作者
1	高压LDMOS反相器功耗的计算	期刊论文
2	Compact model of surface potential in strong inversion channel	会议论文
3	A New Dual-Material Gate LDMOS for RF Power Amplifiers	会议论文
4	A New Method for Studying the Subthreshold Characteristics of Nano-Scaled MOSFETs	期刊论文
5	基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型	期刊论文
6	异质双栅结构LDMOS的物理建模和仿真	期刊论文
7	Polysilicon Gate Quantum Effect Model for Nanoscale MOSFET’s	会议论文
8	高压LDMOS功耗的分析	期刊论文
9	复合多晶硅栅LDMOS的设计	期刊论文
10	Physics-based Modeling and Simulation of Dual Material Gate(DMG) LDMOS	会议论文
11	摄动法研究纳米MOSFETs亚阈值特性	期刊论文
12	复合多晶硅栅LDMOS的特性研究	期刊论文
13	Modeling for the Potential Distribution in Polysilicon Gate Region	期刊论文
14	Correction in Threshold Voltage Model Accounting for Quantum Effects in Strong Inversion Channel	会议论文

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