新型高阈值电压GaN电力电子器件模型与关键技术研究
U20A20208
2020
F0404.半导体电子器件与集成
罗小蓉
联合基金项目
教授
电子科技大学
260万元
GaN电力电子器件；阈值电压；高可靠性；制造工艺；功率驱动芯片
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