InGaN基蓝绿光LED外延材料与器件的研究

61475110
2014
F0502.光子与光电子器件
李学敏
面上项目
教授
太原理工大学
80万元
发光二极管;蓝绿光;InGaN;压电极化;发光效率
2015-01-01到2018-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 Effects of RF power on morphologies and optical properties of three-dimensional GaN nanostructures 会议论文 Wang Haotian;Zhai Guangmei;Shang Lin;Jia Zhigang;Ma Shufang;Liang Jian;Li Xuemin;Xu Bingshe
2 Threading dislocation density effect on the electrical and optical properties of InGaN light-emitting diodes 期刊论文 Dang Suihu;Li Chunxia;Lu Mengchun;Guo Hongli;He Zelong
3 Effect of light Si doping on the properties of GaN 期刊论文 Shang Lin;Zhai Guangmei;Jia Zhigang;Mei Fuhong;Lu Taiping;Liu Xuguang;Xu Bingshe
4 中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响 期刊论文 刘青明;卢太平;朱亚丹;韩丹;董海亮;尚林;赵广洲;赵晨;周小润;翟光美;贾志刚;梁建;马淑芳;薛晋波;李学敏;许并社
5 一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构及制备方法 专利 许并社;尚林;翟光美;贾伟;马淑芳;梁建;李天保;梅伏洪;贾志刚
6 成核层温度对非掺杂GaN外延薄膜结晶质量的影响 期刊论文 孙成真;贾志刚;尚林;孙佩;余春燕;张华;李天保
7 Effect of potential barrier height on the carrier transport in InGaAs/GaAsP multi-quantum wells and photoelectric properties of laser diode 期刊论文 Dong Hailiang;Sun Jing;Ma Shufang;Liang Jian;Lu Taiping;Jia Zhigang;Liu Xuguang;Xu Bingshe
8 一种氮化镓基深紫外LED有源区结构 专利 梅伏洪;翟光美;张华;许并社
9 DBR对不同波长AlGaInP LED芯片发光强度的影响 期刊论文 张强;马淑芳;李明山;许并社;王智勇
10 一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法 专利 马淑芳;田海军;吴小强;关永莉;梁建;许并社
11 Photoluminescence close to V-shaped pits in the quantum wells and enhanced output power for InGaN light emitting diode 期刊论文 Han Dan;Ma Shufang;Jia Zhigang;Jia Wei;Liu Peizhi;Dong Hailiang;Shang Lin;Zhang Aiqin;Zhai Guangmei;Li Xuemin;Liu Xuguang;Xu Bingshe
12 一种LED外延结构及其制备方法 专利 贾伟;樊腾;仝广运;李天保;翟光美;许并社
13 The evolution of a GaN/sapphire interface with different nucleation layer thickness during two-step growth and its influence on the bulk GaN crystal quality 期刊论文 Shang Lin;Lu Taiping;Zhai Guangmei;Jia Zhigang;Zhang Hua;Ma Shufang;Li Tianbao;Liang Jian;Liu Xuguang;Xu Bingshe
14 一种GaN纳米棒阵列结构的制备方法 专利 贾伟;樊腾;李天保;许并社;李学敏;卢太平;梅伏洪
15 三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响 期刊论文 李小杜;尚林;朱亚丹;贾志刚;梅伏洪;翟光美;李学敏;许并社
16 The Properties of p-GaN with Different Cp2Mg/Ga Ratios and Their Influence on Conductivity 期刊论文 Shang Lin;Ma Shufang;Liang Jian;Li Tianbao;Yu Chunyan;Liu Xuguang;Xu Bingshe
17 应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构 专利 许并社;董海亮;马淑芳;梁建;贾虎生;刘旭光
18 Effects of three-dimensional growth temperatures on stress and surface topography of GaN epitaxial film 会议论文 Li Xiaodu;Zhai Guangmei;Jia Zhigang;Shang Lin;Liu Qingming;Hu Fang;Li Xuemin;Xu Bingshe
19 一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法 专利 翟光美;李学敏;梅伏洪;张华;马淑芳;刘青明;李小杜;王皓田;许并社
20 Influence of substrate misorientation on the photoluminescence and structural properties of InGaAs/GaAsP multiple quantum wells 期刊论文 Dong Hailiang;Sun Jing;Ma Shufang;Liang Jian;Lu Taiping;Liu Xuguang;Xu Bingshe
21 Interfacial relaxation analysis of InGaAs/GaAsP strain-compensated multiple quantum wells and its optical property 期刊论文 Dong Hailiang;Sun Jing;Ma Shufang;Liang Jian;Jia Zhigang;Liu Xuguang;Xu Bingshe
22 微米阵列LED制备方法 专利 许并社;韩丹;马淑芳;刘培植;贾伟;王美玲;柳建杰
23 一种InGaN/AlGaN-GaN基多量子阱结构及其制备方法 专利 贾伟;曹锐;李天保;翟光美;党随虎;许并社
24 高功率半导体激光器在金属材料加工中的应用 期刊论文 李学敏;苏国强;翟光美;刘青明
25 The effect of nucleation layer thickness on the structural evolution and crystal quality of bulk GaN grown by a two-step process on cone-patterned sapphire substrate 期刊论文 Shang Lin;Zhai Guangmei;Mei Fuhong;Jia Wei;Yu Chunyan;Liu Xuguang;Xu Bingshe
26 Morphologies and optical and electrical properties of InGaN/GaN micro-square array light-emitting diode chips 期刊论文 Han Dan;Ma Shufang;Jia Zhigang;Liu Peizhi;Jia Wei;Shang Lin;Zhai Guangmei;Xu Bingshe
27 Enhancement of carrier localization effect and internal quantum efficiency through In-rich InGaN quantum dots 期刊论文 Liu Jianjie;Jia Zhigang;Ma Shufang;Dong Hailiang;Zhai Guangmei;Xu Bingshe
28 Enhanced light extraction efficiency of a InGaN/GaN micro-square array light-emitting diode chip 期刊论文 Han Dan;Ma Shufang;Jia Zhigang;Liu Peizhi;Jia Wei;Dong Hailiang;Shang Lin;Zhai Guangmei;Xu Bingshe
29 Origin of huge photoluminescence efficiency improvement in InGaN/GaN multiple quantum wells with low-temperature GaN cap layer grown in N-2/H-2 mixture gas 期刊论文 Zhu Yadan;Lu Taiping;Zhou Xiaorun;Zhao Guangzhou;Dong Hailiang;Jia Zhigang;Liu Xuguang;Xu Bingshe
30 The morphologies and optical properties of three-dimensional GaN nano-cone arrays 期刊论文 Wang Haotian;Zhai Guangmei;Shang Lin;Ma Shufang;Jia Wei;Jia Zhigang;Liang Jian;Li Xuemin;Xu Bingshe
31 低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响 期刊论文 廖建华;尚林;贾伟;余春燕;李天保;许并社
32 界面形核时间对GaN薄膜晶体质量的影响 期刊论文 郭瑞花;卢太平;贾志刚;尚林;张华;王蓉;翟光美;许并社
33 Influence of interface structure on photoelectric properties of InGaN light-emitting diodes 期刊论文 Dang Suihu;Li Chunxia;Lu Mengchun;Guo Hongli;He Zelong
34 一种InGaN基多量子阱结构及其制备方法 专利 贾伟;党随虎;许并社;李天保;梁建;董海亮
35 Influence of in-situ deposited SiNX interlayer on crystal quality of GaN epitaxial films 期刊论文 Fan Teng;Jia Wei;Tong Guangyun;Zhai Guangmei;Li Tianbao;Dong Hailiang;Xu Bingshe
36 Some Comments on China Semiconductor Industry 会议论文 李学敏
37 AlGaN中Mg掺杂对蓝光发光二极管光电性质的影响 期刊论文 李明山;马淑芳;张强;许并社
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