量子调控高铝组分氮化物基深紫外LED光提取效率

61404089
2014
F0403.半导体光电子器件与集成
梅伏洪
青年科学基金项目
讲师
太原理工大学
24万元
光提取效率;发光二极管;深紫外;高铝氮化物;量子调控
2015-01-01到2017-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构及制备方法 专利 许并社;尚林;翟光美;贾伟;马淑芳;梁建;李天保;梅伏洪;贾志刚
2 一种氮化镓基深紫外LED有源区结构 专利 梅伏洪;翟光美;张华;许并社
3 一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法 专利 翟光美;李学敏;梅伏洪;张华;马淑芳;刘青明;李小杜;王皓田;许并社
4 三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响 期刊论文 李小杜;尚林;朱亚丹;贾志刚;梅伏洪;翟光美;李学敏;许并社
5 The evolution of a GaN/sapphire interface with different nucleation layer thickness during two-step growth and its influence on the bulk GaN crystal quality 期刊论文 Shang Lin;Lu Taiping;Zhai Guangmei;Jia Zhigang;Zhang Hua;Ma Shufang;Li Tianbao;Liang Jian;Liu Xuguang;Xu Bingshe
6 Accelerated formation and improved performance of CH3NH3PbI3-based perovskite solar cells via solvent coordination and anti-solvent extraction 期刊论文 Zhang Jitao;Zhai Guangmei;Gao Wenhui;Zhang Caifeng;Shao Zhimeng;Mei Fuhong;Zhang Jianbing;Yang Yongzhen;Liu Xuguang;Xu Bingshe
7 Effect of light Si doping on the properties of GaN 期刊论文 Shang Lin;Zhai Guangmei;Jia Zhigang;Mei Fuhong;Lu Taiping;Liu Xuguang;Xu Bingshe
8 GaN衬底掺杂模式对ZnO纳米棒光学性质的影响 期刊论文 户芳;余春燕;梅伏洪;张华;许并社
9 The effect of nucleation layer thickness on the structural evolution and crystal quality of bulk GaN grown by a two-step process on cone-patterned sapphire substrate 期刊论文 Shang Lin;Zhai Guangmei;Mei Fuhong;Jia Wei;Yu Chunyan;Liu Xuguang;Xu Bingshe
10 Anisotropic photoresponse of layered 2D SnS-based near infrared photodetectors 期刊论文 Zhang Zidong;Yang Juehan;Zhang Kai;Chen Shuai;Mei Fuhong;Shen Guozhen
11 GaN衬底的腐蚀程度对ZnO纳米棒阵列光学性能的调控 期刊论文 庞泽鹏;梅伏洪;乔建东;尚林;余春燕;许并社
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