单片功率系统集成（PSoC）的基础理论和技术研究

60436030
2004
F0406.集成电路器件、制造与封装
李肇基
重点项目
教授
电子科技大学
180万元
模糊脉跨调制FPSM;单片功率系统集成PSoC;跨周期调制PSM;非均
2005-01-01到2008-12-31
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重置
序号 标题 类型 作者
1 背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响 期刊论文
2 On-state breakdown model for high voltage RESRURF LDMOS 期刊论文
3 A new SOI high voltage device with a step thickness drift region and its analytical model for the electric field and breakdown voltage 期刊论文
4 在SOI基上设计实现D/A驱动的高压LDMOS开关电路 期刊论文
5 屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理 期刊论文
6 A novel double RESURF LDMOS and a versatile JFET device usedas internal power supply and current detector for SPIC 期刊论文
7 具有非平面埋氧层的新型SOI材料的制备 期刊论文
8 Boost变换器跨周期调制(PSM)的状态空间平均模型 期刊论文
9 n埋层PSOI结构射频功率LDMOS的输出特性 期刊论文
10 SOI基双极RESURF二维解析模型 期刊论文
11 PSJ高压器件的优化设计 期刊论文
12 New thin-film power MOSFETs with a buried oxide double step structure 期刊论文
13 电荷非平衡super junction 结构电场分布 期刊论文
14 A 1.8-V 0.7 ppm℃ high order temperature-compensated CMOS current reference 期刊论文
15 Longitudinal junction termination technique by multiple floating buried-layers for LDMOST 期刊论文
16 New CMOS compatible super junction LDMOST with N-type buried layer 期刊论文
17 双面阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析 期刊论文
18 一种新型的低导通电阻折叠硅SOI LDMOS 期刊论文
19 A novel super-junction lateral double-diffused metal–oxide–semiconductor field effect transistor with N-type step doping buffer layer 期刊论文
20 非均匀寿命分布电导调制基区中非平衡载流子的WKB解 期刊论文
21 Influence of the minority carrier extracted by the base electrode on current gain of bipolar power transistors 期刊论文
22 复合介质层SOI高压器件电场分布解析模型 期刊论文
23 Optimization of super-junction SOI-LDMOS with a step doping surface implanted layer 期刊论文
24 An ultra-low specific on-resistance VDMOS with a step oxide-bypassed trench structure 期刊论文
25 SOI high-voltage device with step thicknesssustained voltage layer 期刊论文
26 1200V MR D-RESURF LDMOS与BCD兼容工艺研究 期刊论文
27 具有p型埋层PSOI结构的耐压分析 期刊论文
28 REBULF LDMOS实验结果及具有部分N浮空层结构的分析 期刊论文
29 Influence of the minority carrier extracted by the base electrode on current gain of bipolar power transistors 期刊论文
30 A New analytical model of high voltage SOI thin film devices 期刊论文
31 An analytical model for the surface electrical field distribution and optimization of bulk-silicon double RESURF devices 期刊论文
32 具有高压互连线的多区双RESURF LDMOS击穿特性 期刊论文
33 Optimization of super-junction SOI-LDMOS with a step doping surface implanted layer 期刊论文
34 埋空隙PSOI结构的耐压分析 期刊论文
35 功率VDMOS器件的ESD瞬态模型 期刊论文
36 Thermal analytic model of current gain for Bipolar Junction Transistor-Bipolar Static Induction Transistor (BJT-BSIT) compound device 期刊论文
37 A novel 700-V SOI LDMOS with double-side trench 期刊论文
38 New high-voltage (> 1200 V) MOSFET with the charge trenches on partial SOI 期刊论文
39 双面阶梯埋氧层部分SOI高压器件新结构 期刊论文
40 高散热变k介质埋层SOI高压功率器件 期刊论文
41 Realizing high breakdown voltage SJ-LDMOS on bulk silicon using a partial n-buried layer 期刊论文
42 A novel 1200-V LDMOSFET with floating buried layer in substrate 期刊论文
43 表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场模型 期刊论文
44 New power lateral double diffused metal-oxide-semiconductor transistor with a folded accumulation layer 期刊论文
45 Unified breakdown model of SOI RESURF device with uniform/ step/ linear doping profile 期刊论文
46 A novel high voltage LDMOS for HVIC with the multiple step shaped equipotential rings 期刊论文
47 基于耦合式电平位移结构的高压集成电路 期刊论文
48 阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析 期刊论文
49 New high voltage SOI device with variable-thickness drift region and its optimization 期刊论文
50 有n埋层结构的1200V横向变掺杂双RESURF LDMOS研制 期刊论文
51 具有P型埋PSOI结构的耐压分析 期刊论文
52 具有N+浮空层的体电场降低(Rebulf) LDMOS结构耐压分析 期刊论文
53 不同调制模式下Boost变换器DCM模态的能量模型与稳定性分析 期刊论文
54 局域寿命控制NPT-IGBT 瞬态模型 期刊论文
55 New lateral super junction mosfets with n+-floating layer on high-resistance substrate 期刊论文
56 Realization of High Voltage (>700V) in New SOI Devices with a Compound Buried-Layer 期刊论文
57 High Voltage SOI SJ-LDMOS with a Non-depletion Compensation Layer 期刊论文
58 漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型 期刊论文
59 部分局域电荷槽SOI高压器件新结构 期刊论文
60 Boost变换器断续导通模式的PSM同步开关映射模型 期刊论文
61 A new analytical model for optimizing SOI LDMOS with step doped drift region 期刊论文
62 A high voltage BCD process using thin epitaxial technology 期刊论文
63 阶梯掺杂薄漂移区 RESURF LDMOS耐压模型 期刊论文
64 A new structure and its analytical model for the electric field and breakdown voltage of SOI high voltage device with variable-k dielectric buried layer 期刊论文
65 一种基于负载状态的分段式PSM调制模式 期刊论文
66 具有多等位环的高压屏蔽新结构MER-LDMOS耐压分析 期刊论文
67 断续导通模式Buck变换器离散解析模型 期刊论文
68 单密勒电容补偿的三级误差运放电路 期刊论文
69 A new partial SOI power device struture with P-type buried layer 期刊论文
70 Output characteristics of n-buried-pSOI sandwiched rf power LDMOS 期刊论文
71 非均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率模型 期刊论文
72 可变低k介质层SOI高压器件耐压特性 期刊论文
73 Energy model and stability analysis of PSM converter in DCM 期刊论文
74 带P埋层表面注入硅基LDMOS模型与优化 期刊论文
75 Analysis of back-gate effect on breakdown behaviour of over 600V SOI LDMOS transistors 期刊论文
76 全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性 期刊论文
77 A dual complex pole-zero cancellation frequency compensation with gain-enhanced stage for three-stage amplifier 期刊论文
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