快速热处理下大直径单晶硅中过渡族金属行为的研究

90307010
2003
F0401.半导体材料
杨德仁
重大研究计划
教授
浙江大学
30万元
快速热处理;金属杂质;单晶硅
2004-01-01到2006-12-31
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重置
序号 标题 类型 作者
1 Impact of transition-metal con 期刊论文 吴冬冬,杨德仁*,席珍强,阙端
2 11th Defect Recognize, Image a 会议论文 王占国、杨德仁
3 The electrical properties of c 会议论文 席珍强*,杨德仁,陈君,Takashi
4 Copper precipitation in large- 期刊论文 席珍强,陈君,杨德仁*, A.Lawe
5 Germanium-doped Czochralski Si 会议论文 杨德仁,田达晰,马向阳,陈加和
6 Electron-beam-induced current 期刊论文 陈君,杨德仁*,席珍强,Takashi
7 Scanning infrared microscopy i 期刊论文 席珍强,杨德仁*, H.J.Moeller
8 Recombination behavior of nick 期刊论文 席珍强*,杨德仁,陈君,Takashi
9 Nitrogen-doped Czochralski Sil 会议论文 杨德仁
10 Recombination activity of nick 期刊论文 王维燕,席珍强,杨德仁*, 阙端
11 Effect of nickel contamination 期刊论文 吴冬冬,杨德仁*,席珍强,阙端
12 半导体硅材料 专著 杨德仁、席珍强、马向阳等
13 Recombination activity of nick 会议论文 王维燕,席珍强,杨德仁*, 阙端
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