GaAs基InAsSb势垒型红外探测器的MOCVD生长与器件研究

61605236
2016
F0504.红外与太赫兹物理及技术
熊敏
青年科学基金项目
高级工程师
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
24万元
势垒型探测器;GaAs衬底;InAsSb;MOCVD
2017-01-01到2019-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 一种红外探测器及其制备方法 专利 黄勇;熊敏;杨辉
2 High-Quality InSb Grown on Semi-Insulting GaAs Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Hall Sensor Application 期刊论文 Li Xin;Zhao Yu;Xiong Min;Wu Qi Hua;Teng Yan;Hao Xiu Jun;Huang Yong;Hu Shuang Yuan;Zhu Xin
3 Planar mid-infrared InAsSb photodetector grown on GaAs substrates by MOCVD 期刊论文 Tingting Wang;Min Xiong;YingChun Zhao;Xu Dong;Yu Zhao;Jingjun Miao;Yong Huang;Baoshun Zhang;Lixing Cao;Bohua Dong
4 增强型光电探测器衬底的制备方法、其产物及增强型III-V光电探测器 专利 董旭;熊敏;张宝顺
5 一种红外探测器及其制备方法 专利 黄勇;熊敏;杨辉
6 High-Performance Mid-Wavelength InAs/GaSb Superlattice Infrared Detectors Grown by Production-Scale Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 Huang Yong;Xiong Min;Wu Qihua;Dong Xu;Zhao Yingchun;Zhao Yu;Shi Wenhua;Miao Xiaohu;Zhang Baoshun
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