基于有效离子半径理论的SiC MOSFET栅介质与界面配位调控研究
61974159
2019
F0405.半导体器件物理
王盛凯
面上项目
研究员
中国科学院微电子研究所
59万元
界面态；栅介质；离子半径；配位；碳化硅
2020-01至2023-12
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