【61306148】双极性阻变存储器与金属氧化物二极管集成1D1R存储技术研究国家自然基金项目 - 国家自然科学基金查询网

双极性阻变存储器与金属氧化物二极管集成1D1R存储技术研究

项目批准号： 61306148

批准年份： 2013

学科分类： F0408.新型信息器件

项目负责人：李颖弢

资助类别：青年科学基金项目

负责人职称：教授

依托单位：兰州大学

资助金额： 25万元

关键词：氧化物二极管;1D1R;双极性阻变存储器

起止时间： 2014-01-01到2016-12-31

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序号	标题	类型	作者
1	A new bipolar RRAM selector based on anti-parallel connected diodes for crossbar applications	期刊论文	Yingtao Li\|Qingchun Gong\|Rongrong Li\|Xinyu Jiang\|
2	Oxide based two diodes-one resistor structure for bipolar RRAM crossbar array	期刊论文	Rongrong Li\|Enzi Chen\|Qingchun Gong\|Chunlan Tao\|
3	Coexistence of diode-like volatile and multilevel nonvolatile resistive switching in a ZrO2/TiO2 stack structure	期刊论文	Liping Fu\|Rongrong Li\|Xiaoping Gao\|Chunlan Tao\|
4	Feasibility of Schottky diode as selector for bipolar-type resistive random access memory applications	期刊论文	Yingtao Li\|Qingchun Gong\|Xinyu Jiang\|
5	Feasibility study of using a Zener diode as the selection device for bipolar RRAM and WORM memory arrays	期刊论文	Liping Fu\|Chunlan Tao\|Xinyu Jiang\|Pengxiao Sun\|
6	Excellent nonlinearity of a selection device based on anti-series connected Zener diodes for ultrahigh-density bipolar RRAM arrays	期刊论文	Liping Fu\|Xiaoping Gao\|Yang Wang\|Chunlan Tao\|
7	A self-rectifying bipolar RRAM device based on Ni/HfO2/n+-Si structure	期刊论文	Yingtao Li\|Xinyu Jiang\|Chunlan Tao\|
8	Improvement of resistive switching fluctuations by using one step lift-off process	期刊论文	Liping Fu\|Peng Yuan\|Hong Wang\|Chunlan Tao\|
9	Improvement of resistive switching fluctuations by using one step lift-off process	期刊论文	Liping Fu\|Peng Yuan\|Hong Wang\|Chunlan Tao\|

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