基于浮空空穴势垒区的新型低噪声IGBT的优化设计与研究

61904022
2019
F0404.半导体电子器件与集成
李平
青年科学基金项目
高级工程师
重庆大学
23万元
开启特性;IGBT;dV/dt控制能力;浮空N区;电磁干扰噪声
2020-01-01到2022-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 An Ultralow Loss Insulated Gate Bipolar Transistor with a Punch-Through NPN Transistor 会议论文 Ping Li;Rongyao Ma;Zhiyu Yang;Jingwei Guo;Zhi Lin;Shengdong Hu
2 A Novel Asymmetric Trench SiC MOSFET Embedded Unipolar Electron Channel with Improved Reverse Conduction Performance 会议论文 Jingwei Guo;Ping Li;Rongyao Ma;Shengdong hu
3 An Analytical Model of the Electric Field Distribution and Breakdown Voltage for Stepped Compound Buried Layer SOI LDMOS 会议论文 Jingwei Guo;Ping Li;Hao Wu;Shengdong hu
4 A Novel Approach to Inactivate the Body p-i-n Diode of SiC MOSFET by Using the Normally-OFF JFET 期刊论文 Li Ping;Guo Jingwei;Lin Zhi;Hu Shengdong;Shi Cong;Tang Fang
5 A Power MOSFET with P-base Schottky Diode and Built-in Channel Diode for Fast Reverse Recovery 期刊论文 Ping Li;Jingwei Guo;Zhi Lin;Shengdong Hu
6 一种超结MOSFET及其制造方法 专利 李平;马荣耀
7 一种超结MOSFET功率器件 专利 李平;马荣耀
8 A Novel SiC MOSFET With a Fully Depleted P-Base MOS-Channel Diode for Enhanced Third Quadrant Performance 期刊论文 Ping Li;Rongyao Ma;Jingyu Shen;Liang Jing;Jingwei Guo;Zhi Lin;Shengdong Hu;Cong Shi;Fang Tang
9 一种超结MOSFET器件 专利 李平;马荣耀
10 A Low-Reverse-Recovery-Charge Superjunction MOSFET With P-Base and N-Pillar Schottky Contacts 期刊论文 Li Ping;Guo Jingwei;Lin Zhi;Hu Shengdong;Shi Cong;Tang Fang
11 一种具有集成隧穿二极管的超结功率MOSFET 专利 李平;郭经纬;林智;胡盛东;唐枋
12 Novel Approach Toward Body Diode Reverse Recovery Performance Improvement in Superjunction MOSFETs 期刊论文 Ping Li;Rongyao Ma;Zhiyu Yang;Xin Zhang;Daili Wang;Kaifeng Tang;Jingwei Guo;Zhi Lin;Shengdong Hu;Cong Shi;Fang Tang
13 Novel Isolation Structure for High-Voltage Integrated Superjunction MOSFETs 期刊论文 Lin Zhi;Guo Jingwei;Wang Zhihao;Li Ping;Hu Shengdong;Zhou Jianlin;Tang Fang
14 A Novel Approach to Suppress the Inhomogeneous Reverse Recovery Behavior of the Body Diode in Superjunction MOSFET 会议论文 Ping Li;Rongyao Ma;Zhiyu Yang;Jingwei Guo;Zhi Lin;Shengdong Hu
15 超结MOSFET器件关断dV/dt以及栅电极振荡优化策略 的研究 会议论文 李平;马荣耀;杨治宇;张新;王代利;邓旻熙;唐开锋
16 一种超结MOSFET及其制造方法 专利 李平;马荣耀
17 一种沟槽栅超结MOSFET及其制造方法 专利 李平;马荣耀
18 一种超结MOSFET及其制作方法 专利 李平;马荣耀
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