基于沟槽型深漏端扩散区和场板技术的新型超结LDMOS的模型研究及研制

61604024
2016
F0404.半导体电子器件与集成
林智
青年科学基金项目
讲师
重庆大学
20万元
比导通电阻;超结;横向双扩散晶体管;体硅功率器件;击穿电压
2017-01-01到2019-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 A Low Reverse Recovery Charge Superjunction MOSFET With an Integrated Tunneling Diode 期刊论文 Li Ping;Guo Jingwei;Hu Shengdong;Lin Zhi;Tang Fang
2 Low-Reverse Recovery Charge Superjunction MOSFET With a p-Type Schottky Body Diode 期刊论文 Lin Zhi;Hu Shengdong;Yuan Qi;Zhou Xichuan;Tang Fang
3 一种高速超结横向绝缘栅双极型晶体管 专利 林智;袁琦;韩姝;胡盛东;周建林;唐枋;周喜川
4 A Simulation Study of a Novel Superjunction MOSFET Embedded With an Ultrasoft Reverse-Recovery Body Diode 期刊论文 Lin Zhi;Yuan Qi;Hu Shengdong;Zhou Xichuan;Zhou Jianlin;Tang Fang
5 HIGH-SPEED SUPERJUNCTION LATERAL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 专利 Zhi Lin;Qi Yuan;Shu Han;Shengdong Hu;Jianlin Zhou;Fang Tang;Xichuan Zhou
6 Novel Isolation Structure for High-Voltage Integrated Superjunction MOSFETs 期刊论文 Lin Zhi;Guo Jingwei;Wang Zhihao;Li Ping;Hu Shengdong;Zhou Jianlin;Tang Fang
7 一种带软恢复体二极管的超结功率MOSFET 专利 林智;袁琦;韩姝;胡盛东;周建林;唐枋;周喜川
8 一种具有集成隧穿二极管的超结功率MOSFET 专利 李平;郭经纬;林智;胡盛东;唐枋
9 Analysis and Design of a Low-Power Integrated Controllable High-Voltage Start-Up Current Source 会议论文 Lin Zhi
10 一种有两种载流子导电的超结功率MOSFET 专利 林智;袁琦;韩姝;胡盛东;周建林;唐枋;周喜川
11 Study on the Intrinsic Origin of Output Capacitor Hysteresis in Advanced Superjunction MOSFETs 期刊论文 Lin Zhi
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