SiC MOS器件近界面氧化物缺陷与阈值电压漂移抑制技术研究

61874017
2018
F0404.半导体电子器件与集成
王德君
面上项目
教授
大连理工大学
63万元
MOS;阈值电压漂移;近界面氧化物缺陷;碳化硅
2019-01-01到2022-12-31
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序号 标题 类型 作者
1 Ozone oxidation of 4H-SiC and flat-band voltage stability of SiC MOS capacitors 期刊论文 Zhi-Peng Yin;Sheng-Sheng Wei;Jiao Bai;Wei-Wei Xie;Zhao-Hui Liu;Fu-Wen Qin;De-Jun Wang
2 Interface properties and bias temperature instability with ternary H–Cl–N mixed plasma post-oxidation annealing in 4H–SiC MOS capacitors 期刊论文 Chao Yang;Fanglong Zhang;Zhipeng Yin;Yan Su;Fuwen Qin;Dejun Wang
3 The carbon cluster defects on 4H-SiC (0001) surface: Insight by first-principles calculations 会议论文 Shengsheng We;Zhipeng Yin;Dejun Wang
4 石墨烯过渡层对金属/SiC接触肖特基势垒调控的第一性原理研究 期刊论文 邓旭良;冀先飞;王德君;黄玲琴
5 提高SiC MOS器件性能的含氧元素的氧化后处理方法 专利 王德君;尹志鹏;杨超;秦福文
6 Low-temperature re-oxidation of near-interface defects and voltage stability in SiC MOS capacitors 期刊论文 Zhipeng Yin;Chao Yang;Fanglong Zhang;Yan Su;Fuwen Qin;Dejun Wang
7 一种高性能SiC MOSFET器件的制备工艺 专利 王德君;尹志鹏;尉升升;秦福文;刘兆慧;于洪权
8 一种 SiC 半导体干法表面处理设备及方法 专利 王德君;秦福文;尉升升;尹志鹏
9 Synergistic passivation effects of nitrogen plasma and oxygen plasma on improving the interface quality and bias temperature instability of 4H-SiC MOS capacitors 期刊论文 Chao Yang;Zhipeng Yin;Fanglong Zhang;Yan Su;Fuwen Qin;Dejun Wang
10 Carrier capture and emission properties of silicon interstitial defects in near SiC/SiO2 interface region 期刊论文 Fanglong Zhang;Chao Yang;Yan Su;Dejun Wang
11 Interfacial traps and mobile ions induced flatband voltage instability in 4H-SiC MOS capacitors under bias temperature stress 期刊论文 Chao Yang;Zhenghao Gu;Zhipeng Yin;Fuwen Qin;Dejun Wang
12 一种提高SiC MOSFET器件性能稳定性的制作方法 专利 王德君;秦福文;杨超;尹志鹏
13 (Topical Review) Bias temperature instability in SiC metal oxide semiconductor devices 期刊论文 Chao Yang;Shengsheng Wei;Dejun Wang
14 SiC/SiO2 interface properties formed by low-temperature ozone re-oxidation annealing 期刊论文 Zhipeng Yin;Shengsheng Wei;Jiao Bai;Weiwei Xie;Fuwen Qin;Dejun Wang
15 一种改进的碳化硅MOSFET器件的制备工艺 专利 王德君;尉升升;尹志鹏;秦福文;于洪权;刘兆慧
16 提高碳化硅 MOSFET 器件稳定性和可靠性的两步氧化后退火工艺 专利 王德君;尹志鹏;尉升升;秦福文
17 Plasma passivation of near-interface oxide traps and voltage stability in SiC MOS capacitors 期刊论文 Yunong Sun;Chao Yang;Zhipeng Yin;Fuwen Qin;Dejun Wang
18 The structural and electronic properties of Carbon-related point defects on 4H-SiC (0001) surface 期刊论文 Shengsheng Wei;Zhipeng Yin;Jiao Bai;Weiwei Xie;Fuwen Qin;Yan Su;Dejun Wang
19 一种SiC MOSFET器件低温稳定性的评价测试方法 专利 王德君;孙雨浓;杨超;秦福文
20 一种SiC MOS器件的陷阱量测试和分离方法 专利 王德君;尹志鹏;尉升升;杨超;秦福文
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