高K/金属栅CMOS器件的性能退化机理研究
90407015
2004
F0405.半导体器件物理
康晋锋
重大研究计划
教授
北京大学
36万元
沟道迁移率;费米钉扎效应;高K栅介质;金属栅;低压低功耗CMOS
2005-01-01到2007-12-31
- 中英文摘要
- 结题摘要
- 结题报告
- 项目成果
- 项目参与人
查看更多信息请先登录或注册
查看更多信息请先登录或注册
查看更多信息请先登录或注册
| 序号 | 标题 | 类型 | 作者 |
|---|---|---|---|
| 1 | Scalability and reliability of | 会议论文 | J.F. Kang等 |
| 2 | Post-stress recovery mechanism | 会议论文 | |
| 3 | Anomalous Negative Bias Temper | 会议论文 | B. G. Yan, J. F. Yang, Z. L. X |
| 4 | Effect of Surface Roughness on | 会议论文 | Zhiliang Xia, Gang Du, Xiaoyan |
| 5 | Scalability and reliability ch | 期刊论文 | J.F. Kang等 |
| 6 | Models of source/drain bias on | 会议论文 | Gan, Z.H.; Liao, C.C.; Liao, M |
| 7 | Coulomb Scattering induced mob | 会议论文 | J.F. Yang, Z.L. Xia, G. Du, X. |
| 8 | Negative bias temperature inst | 期刊论文 | N Sa, J.F. Kang 等 |
| 9 | “金属栅/高K栅介质：亚45纳米CM | 会议论文 | 康晋锋 |
| 10 | An Analytical Potential Model | 会议论文 | Bojuan Xu, Zhiliang Xia等 |
| 11 | Improved Electrical and Reliab | 期刊论文 | |
| 12 | Interfacial Reaction-Related I | 会议论文 | N. Sa, J.F. Kang*, H. Yang, X. |
| 13 | Dynamic NBTI characteristics o | 会议论文 | B.G. Yan, J.F. Kang, N. Sa, X. |
| 14 | Reliability degradation charac | 会议论文 | J.F. Kang, N. Sa, B.G. Yan, J. |
| 15 | Mechanism of positive-bias tem | 期刊论文 |
查看更多信息请先登录或注册
