基于源端态密度工程的超陡器件模型模拟研究
61974003
2019
F0405.半导体器件物理
刘飞
面上项目
研究员
北京大学
59万元
隧穿效应；超陡器件；亚阈值斜率；器件模型模拟；量子输运
2020-01至2023-12
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