GaN基功率器件与材料可靠性基础问题研究

60890192
2008
F0404.半导体电子器件与集成
蔡树军
重大项目
研究员
中国电子科技集团公司第十三研究所
300万元
GaN；功率器件；电流崩塌；可靠性；机理
2009-01至2012-12
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重置
序号 标题 类型 作者
1 Al沉积时间对Si衬底GaN材料的影响 期刊论文 王晶晶|冯志红|刘波|敦少博|蔡树军|尹甲运|李佳|
2 The impact of nanoporous SiNx interlayer growth position on high-quality GaN epitaxial films 期刊论文 Ma ZG;Xing ZG;Wang XL;Chen Y;Wang WX;Xu PQ;Cui YX;Wang L;Jiang Y;Jia HQ;Chen H
3 提高AlGaN/GaN HEMT关态击穿电压的纳米沟道阵列结构 会议论文 Guodong Gu;顾国栋;蔡勇;Yong Cai;Zhihong Feng;冯志红;Yue Wang;王越;Guohao yu;于国浩;Zhihua Dong;董志华;曾春红;Chunhong Zeng;Baoshun Zhang;张宝顺
4 GaN基HEMT器件抗逆压电性能研究 期刊论文 房玉龙;敦少博;尹甲运;张效玮;冯志红;蔡树军;Fang Yulong;Dun Shaobo;Yin Jiayun;Zhang Xiaowei;Feng Zhihong;Cai Shujun
5 10-GHz 4.69W/mm InAlN/GaN HFET on sappire substrate 会议论文 冯志红|刘波|尹甲运|王晶晶|顾国栋|李静强|敦少博|蔡树军|
6 Enhancement-mode InAlN/GaN MISHEMT with low gate leakage current 期刊论文 Gu Guodong;Cai Yong;Feng Zhihong;Liu Bo;Zeng Chunhong;Yu Guohao;Dong Zhihua;Zhang Baoshun
7 一种简单制备有序V形纳米硅孔阵列的方法 专利 Qiu X.;Cao L.;Yang X.;Zhao X.;Liu X.;Han Y.;Xue Y.;Jiang H.;Chi Z.
8 一种低比接触电阻、低粗糙度欧姆接触制作方法 专利 宋建博; 张志国; 于峰涛; 王勇
9 18-GHz 3.65-W/mm Enhancement-mode AlGaN/GaN HFET Using Fluorine Plasma Ion Implantation 期刊论文 Z. H. Feng;R. Zhou;S. Y. Xie;J. Y. Yin;J. X. Fang;B. Liu;W. Zhou;Kevin J. Chen;S. J. Cai
10 A 4.69W/mm output power density InAlN/GaN HEMT grown on sapphire substrate 期刊论文 Cai Shunjun|Dun Shaobo|Liu Bo|Feng Zhihong|Li Jia|Fang Yulong|wang Jingjing|Zhang Sen|Zhang Xiaowei|Yin Jiayun|
11 Recent progress of GaN growth on maskless chemical-etched grooved sapphire substrate 期刊论文 Hong Chen|Yang Jiang|Lu Wang|Haiqiang Jia|Wenxin Wang|
12 High performance InAlN/GaN heterostructure and field effect transistor on sapphire substrate by MOCVD 会议论文 Y. L. Fang（房玉龙）;S. B. Dun（敦少博）;J. Y. Yin（尹甲运）;B. Liu（刘波）;B. C. Sheng（盛百城）;Z. Z. He（何泽召）;T. T. Han（韩婷婷）;Z. H. Feng（冯志红）;S. J. Cai（蔡树军）
13 Analyses of 2-DEG characteristics in GaN HEMT with AlN/GaN super-lattice as barrier layer grown by MOCVD 期刊论文 Xu Peiqiang;Jiang Yang;Chen Yao;Ma Ziguang;Wang Xiaoli;Deng Zhen;Li Yan;Jia Haiqiang;Wang Wenxin;Chen Hong
14 化合物半导体微波功率芯片结温测试装置 专利 王会智
15 低极化效应的氮化镓基发光二极管用外延材料及制法 专利 陈弘、贾海强、郭丽伟、王文新、周均铭
16 INALN材料的酸碱交替选择湿法腐蚀方法 专利 邢东、冯志红、王晶晶、刘波、房玉龙、敦少博
17 An extrinsic fmax > 100 GHz InAlN/GaN HEMT with AlGaN back barrier 期刊论文 Liu Bo(刘波)|Feng Zhihong(冯志红)?|Dun Shaobo(敦少博)|Zhang Xiongwen(张雄文)|Gu Guodong(顾国栋)|Wang Yuangang(王元刚)|Xu Peng(徐鹏)|He Zezhao(何泽召)|and Cai Shujun(蔡树军)|
18 微波大功率器件用GaN基HEMT和SiC MESFET外延材料研究 奖励 冯志红;刘波;尹甲运;李佳;敦少博
19 用于制备低位错密度GaN外延材料的硅衬底的处理方法 专利 尹甲运、冯志红、李佳、刘波、王晶晶、敦少博
20 Optim ization of Two-step AlN Buffer of a-plane GaN Films Grown on r-plane Sapphire by MOCVD 期刊论文 He T|Chen Y|Li H|Dai LG|Wang XL|Xu PQ|Wang WX|Chen H.|
21 宽带GaN单片功率放大器研究 期刊论文 王会智;闫锐;刘波;冯志红;何庆国;蔡树军;Wang Huizhi;Yan Rui;Liu Bo;Feng Zhihong;He Qingguo;Cai Shujun
22 化合物半导体发展现状与趋势 会议论文 蔡树军|
23 The extrinsic and intrinsic causes for the electrical degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文 Y. L. Fang;S. B Dun;B. Liu;J. Y. Yin;S. J. Cai;Z. H. Feng
24 一种宽禁带半导体芯片直流性能测试系统 专利 默江辉;李静强;马杰;李亮;崔玉兴;付兴昌;蔡树军;杨克武
25 Boundary-enhanced momentum relaxation of longitudinal optical phonons in GaN 期刊论文 Shen, B.|Lu, L. W.|Xu, F. J.|Guo, L.|Wang, X. Q.|Lin, F.|Feng, Z. H.|Dun, S. B.|Liu, B.|
26 用于GaN功率器件的对位标记的制作方法 专利 王勇;秘瑕;周瑞;赵金霞;张志国;蔡树军
27 GaN基HEMT器件可靠性研究 会议论文 邢东|房玉龙|冯志红|刘波|蔡树军|敦少博|尹甲运|王晶晶|
28 用于薄膜生长的双模系统及其控制方法 专利 Tang Mengxiong;Zhang Wei;Lin Huili;Jiang Hong;Dai Hongyan;Zhang Yun
29 具有点状分布N电极的氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利 贾海强;李卫;李永康;彭铭曾;朱学亮
30 Si衬底GaN外延材料六角形缺陷分析 期刊论文 尹甲运;刘波;王晶晶;周瑞;李佳;敦少博;冯志红;Yin Jiayun;Liu Bo;Wang Jingjing;Zhou Rui;Li Jia;Dun Shaobo;Feng Zhihong
31 SiC衬底AlN缓冲层的应变对GaN外延层质量的影响 期刊论文 王丽;房玉龙;尹甲运;敦少博;刘波;冯志红;Wang Li1 Fang Yulong2 Yin Jiayun2 Dun Shaobo2 Liu Bo2 Feng Zhihong2(1.Information Center of Science and Technology Beijing 100044 China;2.Science and Technology on ASIC Laboratory Shijiazhuang 050051 China)
32 宽带氮化镓基微波大功率单片集成功率放大器 专利 王会智; 李亮; 崔玉兴; 付兴昌
33 毫米波GaN基HEMT器件材料结构发展的研究 期刊论文 张效玮;贾科进;房玉龙;敦少博;冯志红;赵正平;Zhang Xiaowei1 2 Jia Kejin1 Fang Yulong2 Dun Shaobo2 Feng Zhihong2 Zhao Zhengping1(1.College of Information Engineering Hebei University of Technology Tianjin 300130 China;2.Key Laboratory of Special Integrated Circuit Shijiazhuang 050051 China)
34 用于SiC和蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMT热解析模型 期刊论文 姜霞;赵正平;张志国;骆新江;杨瑞霞;冯志红;Jiang Xia;Zhao Zhengping;Zhang Zhiguo;Luo Xinjiang;Yang Ruixia;Feng Zhihong
35 A high-performance enhancement-mode AIGaN/GaN HEMT 期刊论文 尹甲运|周伟|周瑞|冯志红|谢圣银|蔡树军|
36 高性能SiC整流二极管研究 期刊论文 杨霏;商庆杰;李亚丽;闫锐;默江辉;潘宏菽;李佳;刘波;冯志红;付兴昌;何庆国;蔡树军;杨克武;Yang Fei;Shang Qingjie;Li Yali;Yan Rui;Mo Jianghui;Pan Hongshu;Li Jia;Liu Bo;Feng Zhihong;Fu Xingchang;He Qingguo;Cai Shujun;Yang Kewu
37 一种具有新型插入层的GaN基高电子迁移率晶体管 专利 冯志红、邢东、王晶晶、刘波、房玉龙、尹甲运、蔡树军
38 一种半导体微波功率芯片封装外壳性能测试方法 专利 默江辉;李静强;马杰;李亮;崔玉兴;付兴昌;蔡树军;杨克武
39 Stress Control in GaN Grown on 6H-SiC by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 Xue Yuan;Xie Nanchang;Lin Youting;Xu Jingjing;Han Yuxiang;Wang Shengjun;Jiang Hong;Chi Zhaofu
40 Micro-Raman spectroscopy observation of field-induced strain relaxation in AlGaN/GaN/SiC heterojunction field-effect transistors 期刊论文 S. B. Dun（敦少博）;Y. Jiang;J. Q. Li;Y. L. Fang（房玉龙）;J. Y. Yin（尹甲运）;B. Liu（刘波）;J. J. Wang（王晶晶）;H. Chen;Z. H. Feng（冯志红）;S. J. Cai（蔡树军）
41 INALN/GaN 异质结有源区的埋层结构和激活方法 专利 邢东;冯志红;房玉龙;刘波;张雄文;敦少博;蔡树军
42 微波功率宽禁带半导体中陷阱问题和极化工程 会议论文 冯志红
43 (In)AlN/GaN异质结材料与场效应晶体管 会议论文 冯志红|
44 Influence of the strain of AlN buffer layer on the strain evolution of GaN epilayer grown on 3-in 6H-SiC substrate 期刊论文 Jiayun Yin|Yulong Fang|Zhihong Feng|
45 一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法 专利 戴隆贵;丁芃;陈弘;贾海强;王文新
46 GaN微波器件T型栅的制作方法 专利 王勇;李亮;秘瑕;彭志农;周瑞;蔡树军
47 10-GHz 4.69-W/mm InAlN/GaN HFET on sapphire substrate 期刊论文 Guodong Gu|Shujun Cai|Bo Liu|Jiayun Yin|Shaobo Dun|Zhihong Feng|Jinjin Wang|
48 Improvement of Breakdown Characteristics of a GaN HEMT with AlGaN Buffer Layer 期刊论文 Chen Y.;Jiang Y.;Xu P. Q.;Ma Z. G.;Wang X. L.;He T.;Peng M. Z.;Luo W. J.;Liu X. Y.;Wang L.;Jia H. Q.;Chen H.
49 一种发光二极管外延材料结构 专利 贾海强; 陈弘; 王文新; 江洋; 马紫光; 王禄; 李卫
50 国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜 期刊论文 陈耀;王文新;黎艳;江洋;徐培强;马紫光;宋京;陈弘
51 一种化合物半导体微波功率芯片版图布局的方法 专利 王会智
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