高剂量辐射下纳米CMOS数字集成电路保持时间违例问题研究
62004221
2020
F0406.集成电路器件、制造与封装
吴振宇
青年科学基金项目
助理研究员
中国人民解放军国防科技大学
24万元
纳米CMOS数字集成电路；高剂量辐射；辐射效应；保持时间违例；抗辐射加固
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