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陈书明
面上项目
项目编号:
61376109 【年份:2013】
项目名称:
考虑多节点电荷收集的纳米CMOS单粒子瞬态效应研究
资助金额:
80万
单位名称:
中国人民解放军国防科技大学
学科分类:
F0406.集成电路器件、制造与封装
参与者:
中国人民解放军国防科技大学
考虑多节点电荷收集的纳米CMOS单粒子瞬态效应研究
项目批准号:
61376109
批准年份:
2013
学科分类:
F0406.集成电路器件、制造与封装
项目负责人:
陈书明
资助类别:
面上项目
负责人职称:
教授
依托单位:
中国人民解放军国防科技大学
资助金额:
80万元
关键词:
中子辐射;SET建模;SET测量;多节点电荷收集
起止时间:
2014-01-01到2017-12-31
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1
Single event upset induced by single event double transient and its well-structure dependency in 65-nm bulk CMOS technology
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NMOS transistor location adjustment for N-hit single event transient mitigation in 65 nm CMOS bulk technology
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A Constrained Layout Placement Approach to Enhance Pulse Quenching Effect in Large Combinational Circuits
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4
一种通用型单粒子多瞬态脉冲分布测量方法
专利
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5
Heavy-Ion-Induced Charge Sharing Measurement With a Novel Uniform Vertical Inverter Chains (UniVIC) SEMT Test Structure
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9
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10
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11
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13
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14
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15
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Du Yankang;Chen Shuming;Chen Jianjun
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