基于导电机理的钛氧化物忆阻器电路特性建模研究

61171017
2011
F0118.电路与系统
徐晖
面上项目
教授
中国人民解放军国防科技大学
63万元
肖特基势垒;建模;纳米钛氧化物;非线性电路;忆阻器
2012-01-01到2015-12-31
  • 中英文摘要
  • 结题摘要
  • 结题报告
  • 项目成果
  • 项目参与人
查看更多信息请先登录或注册
查看更多信息请先登录或注册
查看更多信息请先登录或注册
重置
序号 标题 类型 作者
1 A Memristor SPICE Model Accounting for Synaptic Activity Dependence 期刊论文 李清江|Alex Serb|Themistoklis Prodromakis|徐晖|
2 A Simulation Method for Memristor Based Dopant Drift Model 会议论文 刁杰涛|田晓波|
3 横截面积参数对钛氧化物忆阻器导电特性的影响研究 期刊论文 田晓波|徐晖|李清江|
4 忆阻逾渗导电模型中的初态影响 期刊论文 李智炜|刘海军|徐欣|
5 Characteristics of titanium oxide memristor with coexistence of dopant drift and a tunnel barrier 期刊论文 田晓波|徐晖|
6 Impact of Active Areas on Electrical Characteristics of TiO2 based Solid-State Memristors 会议论文
7 Study of the Noninverting Amplifier Based on Memristor with Linear Dopant Drift 会议论文 李清江|徐晖|刘海军|田晓波|
8 The design and simulation of a titanium oxide memristor-based programmable analog filter in a simulation program with integrated circuit emphasis 期刊论文 田晓波|徐晖|
9 Computation of the loci Crossing Point Location of MC Circuit 期刊论文 李智炜|步凯|孙兆林|聂洪山|
10 Origin of Stochastic Resistive Switching in Devices with Phenomenologically Identical Initial States 会议论文
11 Memristance controlling approach based on modification of linear M–q curve 期刊论文 李智炜|于红旗|孙兆林|聂洪山|
12 Coexistence of memory resistance and memory capacitance in TiO2 solid-state devices 期刊论文 Iulia Salaoru|李清江|Ali Khiat|Themistoklis Prodromakis|
13 The conductive mechanisms of a titanium oxide memristor with dopant drift and a tunnel barrier 期刊论文 田晓波|徐晖|李清江|
14 温度改变对钛氧化物忆阻器导电特性的影响 期刊论文 徐晖|田晓波|步凯|李清江|
15 Stochastic switching of TiO2-based memristive devices with identical initial memory states 期刊论文 Ali Khiat|Iulia Salaoru|徐晖|Themistoklis Prodromakis|
16 Memory Impedance in TiO2 based Metal-Insulator-Metal Devices 期刊论文 Iulia Salaoru|Christos Papavassiliou|徐晖|Themistoklis Prodromakis|
17 Extensional Framework for Pinched Hysteresis Systems 期刊论文 李智炜|刘海军|徐欣|
查看更多信息请先登录或注册

相关项目

趋势报告

经验分享