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许军
重点项目
项目编号:
60636010 【年份:2006】
项目名称:
适用于65nm技术代以后的CMOS器件栅工程和沟道工程关键技术研究
资助金额:
200万
单位名称:
清华大学
学科分类:
F0406.集成电路器件、制造与封装
参与者:
清华大学
适用于65nm技术代以后的CMOS器件栅工程和沟道工程关键技术研究
项目批准号:
60636010
批准年份:
2006
学科分类:
F0406.集成电路器件、制造与封装
项目负责人:
许军
资助类别:
重点项目
负责人职称:
研究员
依托单位:
清华大学
资助金额:
200万元
关键词:
栅工程;应变硅;沟道工程;高介电常数材料;金属栅电极
起止时间:
2007-01-01到2010-12-31
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1
A Charge-Trap Memory Device with the Composition-Modulated Zr-Silicate High-k Dielectric Multilayer Structure
期刊论文
2
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期刊论文
3
Characterization of high-k gate dielectrics by atomic-resolution electron microscopy: current progress and future prospects
期刊论文
4
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期刊论文
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会议论文
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15
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17
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24
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33
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34
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35
Band alignments and improved leakage properties of (La2O3)0.5(SiO2)0.5/SiO2/GaN stacks for high-temperature metal-oxide-semiconductor field-effect transistor applications
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